时间：2025/6/29 1:30:59
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SQCB7M5R1BAJME 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其它高效率电力电子应用。该器件采用先进的封装技术，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并减少热量损耗。
这款 GaN 晶体管具有出色的热性能和电气性能，同时其紧凑的尺寸使得它非常适合于空间受限的设计场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：80nC
开关频率：最高可达5MHz
工作温度范围：-40℃至+125℃
封装形式：TO-247-3
SQCB7M5R1BAJME 具备以下关键特性：
1. 高击穿电压：600V 的耐压能力使其能够胜任各种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻：仅为 50mΩ，从而降低传导损耗。
3. 快速开关速度：得益于 GaN 技术，开关频率可高达 5MHz，显著减少磁性元件体积。
4. 出色的热管理：通过优化的封装设计，散热性能优异，确保长期可靠运行。
5. 高效节能：与传统硅基 MOSFET 相比，能效提升明显，尤其在高频条件下表现突出。
6. 紧凑型封装：使用 TO-247-3 封装，方便安装且节省 PCB 空间。
SQCB7M5R1BAJME 广泛应用于需要高效率和高频操作的电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）：
- 隔离式 DC-DC 转换器
- AC-DC 转换器
2. 工业设备：
- 电机驱动器
- 不间断电源（UPS）
3. 可再生能源：
- 太阳能逆变器
- 风能转换系统
4. 电动汽车（EV）：
- 车载充电器
- DC-DC 转换模块
5. 数据中心：
- 高密度服务器电源
- 冗余供电系统
SQCB7M5R1BAJM, SQDB7M5R1BAJME, SMCB7M5R1BAJME
