SQCB7M4R7CAJME 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制程工艺制造,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,从而显著降低了功率损耗并提升了效率。
该型号属于表面贴装器件(SMD),适合高密度设计,同时其封装形式有助于散热性能的优化,使其在高温环境下也能保持稳定的工作状态。
最大漏源电压:70V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:7mΩ
总功耗:1.5W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
SQCB7M4R7CAJME 的主要特点是具有非常低的导通电阻(7mΩ),这使得它在高电流应用中表现尤为出色。此外,该器件还拥有较快的开关速度,能有效降低开关损耗。
由于采用了强化的热设计,SQCB7M4R7CAJME 在高功率应用场景下能够承受较高的结温,进一步提高了系统的可靠性。
另外,此器件具有出色的电气稳定性,在高频工作条件下仍能保持较低的电磁干扰(EMI)。整体而言,SQCB7M4R7CAJME 是一款兼具高效与可靠性的功率半导体器件。
SQCB7M4R7CAJME 主要应用于以下领域:
1. 开关电源适配器及充电器;
2. 各类 DC-DC 转换器;
3. 电池管理系统(BMS)中的负载切换控制;
4. 汽车电子设备中的电机驱动;
5. 工业自动化设备中的功率调节电路;
6. LED 驱动器以及家用电器中的功率管理模块。
SQCB7M4R7CAJMZ, SQCB7M4R7CAJMX