时间：2025/6/11 9:00:59
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SQCB7M240FATME是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
其封装形式为TO-263（D2PAK），适用于高电流密度的应用场景，并且具备良好的热性能和电气性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：52A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：66nC
输入电容：1720pF
反向传输电容：37pF
结温范围：-55℃至175℃
SQCB7M240FATME的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 高额定电流，适用于大功率负载驱动。
4. 坚固耐用的结构设计，能够在恶劣环境下可靠工作。
5. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
6. 良好的热稳定性，保证长时间运行时的性能一致性。
这些特点使SQCB7M240FATME成为工业控制、汽车电子及消费类电子产品中的理想选择。
该MOSFET适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
4. 大电流负载开关。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
SQCB7M240FATME凭借其卓越的性能表现，在需要高效能与高可靠性的领域中具有显著优势。
SQJ514EP
IRLB8748PBF
FDP17N06L
AON6074A
