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SQCB7M220JATWE 发布时间 时间:2025/12/24 5:19:14 查看 阅读:17

SQCB7M220JATWE 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制程技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子应用中。
  该型号属于功率半导体领域,其封装形式为 TO-263-3,适合表面贴装工艺,同时具备出色的散热性能和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:220A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:85nC
  反向恢复时间:95ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263-3

特性

SQCB7M220JATWE 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下提供更高的效率。
  2. 快速开关速度,有效减少开关损耗。
  3. 高雪崩能力,增强了在异常情况下的耐用性。
  4. 小型化封装设计,适合紧凑型电路布局。
  5. 出色的热稳定性和电气稳定性,确保在恶劣环境下可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

SQCB7M220JATWE 广泛应用于以下领域:
  1. 工业电机驱动和控制。
  2. 高效 DC-DC 转换器和开关模式电源(SMPS)。
  3. 新能源汽车中的逆变器和电池管理系统。
  4. 大功率 LED 驱动和照明系统。
  5. 充电器和适配器的设计。
  6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

SQJ220E, SQCB7M220JDTWE

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SQCB7M220JATWE参数

  • 产品培训模块Component Solutions for Smart Meter Applications
  • 标准包装80
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列SQ
  • 电容22pF
  • 电压 - 额定500V
  • 容差±5%
  • 温度系数M
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 175°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳1111(2828 公制)
  • 尺寸/尺寸0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.102"(2.59mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装托盘 - 晶粒
  • 引线型-