SQCB7M220FATME500 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 SiC(碳化硅)基 MOSFET 系列。该器件采用先进的碳化硅技术制造,具有极低的导通电阻和快速开关能力,适合用于高效率、高频应用场合。它广泛应用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动和其他工业领域。
该型号的 SQCB7M220FATME500 使用 TO-247 封装形式,能够提供更高的散热性能,同时支持表面贴装和通孔安装方式。
类型:SiC MOSFET
额定电压:1200V
额定电流:22A
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:80nC
最大功耗:230W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
SQCB7M220FATME500 的主要特点是其采用了碳化硅材料,这使得该器件具备以下优势:
1. 极低的导通电阻(7mΩ),从而减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,可实现高频操作,有助于减小磁性元件体积。
3. 高温工作能力(最高可达 175℃),适用于恶劣环境下的工业应用。
4. 强大的浪涌电流承受能力,增强了系统的可靠性。
5. TO-247 封装设计提供了良好的热管理和电气连接性能。
SQCB7M220FATME500 主要应用于需要高效能量转换和高可靠性的场景中,包括但不限于:
1. 电动汽车充电站中的功率变换模块。
2. 太阳能光伏逆变器的核心功率开关元件。
3. 不间断电源系统(UPS)中的 DC/AC 或 DC/DC 转换电路。
4. 工业电机驱动器的功率级控制。
5. 高频 AC/DC 和 DC/DC 变换器。
6. 其他高功率密度电子设备中的关键功率组件。
SQCB7M220FAHME500, C2M0025120D, SCT22N120