您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SQCB7M220FATME500

SQCB7M220FATME500 发布时间 时间:2025/7/3 20:24:45 查看 阅读:9

SQCB7M220FATME500 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 SiC(碳化硅)基 MOSFET 系列。该器件采用先进的碳化硅技术制造,具有极低的导通电阻和快速开关能力,适合用于高效率、高频应用场合。它广泛应用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动和其他工业领域。
  该型号的 SQCB7M220FATME500 使用 TO-247 封装形式,能够提供更高的散热性能,同时支持表面贴装和通孔安装方式。

参数

类型:SiC MOSFET
  额定电压:1200V
  额定电流:22A
  导通电阻:7mΩ
  栅极电荷:80nC
  最大功耗:230W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SQCB7M220FATME500 的主要特点是其采用了碳化硅材料,这使得该器件具备以下优势:
  1. 极低的导通电阻(7mΩ),从而减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,可实现高频操作,有助于减小磁性元件体积。
  3. 高温工作能力(最高可达 175℃),适用于恶劣环境下的工业应用。
  4. 强大的浪涌电流承受能力,增强了系统的可靠性。
  5. TO-247 封装设计提供了良好的热管理和电气连接性能。

应用

SQCB7M220FATME500 主要应用于需要高效能量转换和高可靠性的场景中,包括但不限于:
  1. 电动汽车充电站中的功率变换模块。
  2. 太阳能光伏逆变器的核心功率开关元件。
  3. 不间断电源系统(UPS)中的 DC/AC 或 DC/DC 转换电路。
  4. 工业电机驱动器的功率级控制。
  5. 高频 AC/DC 和 DC/DC 变换器。
  6. 其他高功率密度电子设备中的关键功率组件。

替代型号

SQCB7M220FAHME500, C2M0025120D, SCT22N120

SQCB7M220FATME500推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价