时间：2025/7/11 15:59:03
阅读：26
SQCB7M200JAJME 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率器件，由 STMicroelectronics 推出。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于工业电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等领域。
该型号采用 TO-247 封装形式，支持高电压操作并具备出色的热性能，使其能够满足现代电力电子系统对效率和可靠性的严格要求。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：200A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：165nC
开关频率：高达100kHz
封装形式：TO-247
SQCB7M200JAJME 基于先进的 SiC 技术制造，提供卓越的电气性能和热管理能力。
1. 低导通电阻：3.5mΩ 的 RDS(on) 可显著降低传导损耗，从而提高整体效率。
2. 快速开关速度：得益于 SiC 材料的优异性能，该器件可实现快速开关，减少开关损耗。
3. 高温工作能力：能够在结温高达 175°C 的环境下稳定运行，增强系统的可靠性。
4. 强大的过流保护功能：内置短路保护机制以确保在异常情况下的安全性。
5. 低栅极电荷：有助于优化驱动电路设计，同时降低驱动功耗。
6. 紧凑的 TO-247 封装：便于安装并提供良好的散热路径。
SQCB7M200JAJME 广泛应用于需要高效功率转换和高频工作的场景中。
1. 工业电源：如不间断电源 (UPS) 和服务器电源。
2. 太阳能逆变器：用于将直流电转换为交流电，提升能量转换效率。
3. 电动汽车充电设备：包括车载充电器和快速充电桩。
4. 电机驱动：适用于工业自动化和机器人技术中的高效电机控制。
5. 高压 DC-DC 转换器：例如电信基站和数据中心供电解决方案。
6. 特殊用途的焊接设备及等离子切割机：利用其高耐压与高效特性。
STGHB75H12WY, CSD19538KTT, SCT3160KL
