时间：2025/12/24 10:11:37
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SQCB7M1R0BAJME 是一款由 Vishay 公司生产的功率 MOSFET 芯片，具体属于 SiHF7M140D 系列。该系列器件采用 TrenchFET? 第四代技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能。这种 MOSFET 通常用于高效率 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各类电源管理系统中。其封装形式为 PowerPAK? 8x8，能够有效降低热阻并提升散热性能。
这款芯片特别适合需要高频工作和高效能转换的应用场景，例如笔记本电脑适配器、服务器电源、通信电源等。
型号：SQCB7M1R0BAJME
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源电压）：40 V
RDS(on)（导通电阻）：0.95 mΩ（典型值，在 VGS = 10V 条件下）
IDS（持续漏电流）：140 A
VGS(th)（栅极开启电压）：2.3 V 至 4.0 V
输入电容 Ciss：3650 pF
总栅极电荷 Qg：75 nC
反向恢复时间 trr：25 ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：PowerPAK? 8x8
1. 极低的 RDS(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高 IDS 值支持大电流应用，适用于高性能电源转换需求。
3. 短反向恢复时间 trr 和低 Qg，可实现快速开关操作，从而减少开关损耗。
4. 使用 TrenchFET? 第四代技术，优化了芯片的面积与性能之间的平衡。
5. 宽广的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
6. PowerPAK? 封装设计增强了散热能力，并简化了 PCB 布局设计。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 高效 DC/DC 转换器中的同步整流电路。
2. 开关电源（SMPS）的主开关或辅助开关元件。
3. 笔记本电脑及平板设备的充电适配器。
4. 数据中心和服务器的冗余电源系统。
5. 工业自动化领域中的电机驱动控制。
6. 汽车电子中的负载切换和电池管理模块。
7. 通信基站中的多相降压稳压器设计。
1. SiHF7M140D（同一系列产品）。
2. IRF7762（类似的低 RDS(on) MOSFET）。
3. FDP077N04A（Infineon 提供的替代选项）。
4. AO4400（Alpha & Omega Semiconductor 生产的 N-Channel MOSFET）。
5. STP140NF04L（STMicroelectronics 的高效能功率 MOSFET）。
