时间：2025/7/8 10:13:23
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SQCB7M0R4BATME 是一款基于 MOSFET 技术的功率半导体器件，通常用于高效率电源管理、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。该型号属于肖特基二极管系列，采用先进的封装技术以提供出色的散热性能和可靠性。其设计旨在满足现代电子设备对高效能和低功耗的需求。
最大正向电压：40V
最大反向电流：5A
典型正向压降：0.4V
结电容：25pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263
SQCB7M0R4BATME 具有低正向压降的特点，能够显著减少功率损耗并提高系统效率。此外，它还具备快速恢复时间，使其非常适合高频开关应用。器件的高浪涌能力可以保护电路免受瞬态电压的影响，同时其坚固的封装设计增强了在恶劣环境下的耐用性。
该器件采用了铜夹片技术，进一步优化了热性能和电气连接可靠性。此外，其无铅封装符合 RoHS 标准，支持环保要求。
SQCB7M0R4BATME 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于 DC-DC 转换器、续流二极管、太阳能逆变器、LED 驱动器以及电动工具中的功率转换模块。由于其高效率和高可靠性，它也是汽车电子应用的理想选择，例如车载充电器和车身控制系统。
SQCB7M0R4BAHME
SQCB7M0R4BAME
