SQCB7A4R7CATME500 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种功率转换和电机驱动应用。
其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT),能够有效减少电路板空间占用并提高散热性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:12nC
总功耗:210W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-263
SQCB7A4R7CATME500 的主要特点是其极低的导通电阻,这可以显著降低传导损耗,从而提高系统的整体效率。
此外,该器件还具备快速的开关速度,可减少开关损耗,并在高频操作下表现出色。
内置的热保护机制确保了在异常情况下不会损坏芯片。
由于采用了 D2PAK 封装,器件的散热性能非常优秀,适合用于高温环境下的功率电子设计。
它支持多种保护功能,例如过流保护和短路耐受能力,进一步增强了系统的可靠性。
SQCB7A4R7CATME500 广泛应用于工业和消费类电子领域中的功率转换和电机控制场景。
典型的应用包括但不限于 DC-DC 转换器、逆变器、电动工具、家电驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等。
由于其大电流承载能力和低损耗特点,该器件特别适合需要高效能功率管理的场合。
SQJ740EP, IRF7729PbF, FDP077N06L