时间：2025/7/11 15:57:52
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SQCB7A4R7CATME500 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种功率转换和电机驱动应用。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装技术（SMT），能够有效减少电路板空间占用并提高散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：12nC
总功耗：210W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263
SQCB7A4R7CATME500 的主要特点是其极低的导通电阻，这可以显著降低传导损耗，从而提高系统的整体效率。
此外，该器件还具备快速的开关速度，可减少开关损耗，并在高频操作下表现出色。
内置的热保护机制确保了在异常情况下不会损坏芯片。
由于采用了 D2PAK 封装，器件的散热性能非常优秀，适合用于高温环境下的功率电子设计。
它支持多种保护功能，例如过流保护和短路耐受能力，进一步增强了系统的可靠性。
SQCB7A4R7CATME500 广泛应用于工业和消费类电子领域中的功率转换和电机控制场景。
典型的应用包括但不限于 DC-DC 转换器、逆变器、电动工具、家电驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等。
由于其大电流承载能力和低损耗特点，该器件特别适合需要高效能功率管理的场合。
SQJ740EP, IRF7729PbF, FDP077N06L
