时间：2025/7/3 15:21:26
阅读：23
SQCB5A182JATME 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的制程工艺制造。该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和负载开关等应用中。
其设计优化了低导通电阻与高效率的性能，能够有效降低功率损耗，同时具备快速开关速度和出色的热性能。该型号采用了 TO-263 封装形式，适合表面贴装技术（SMT），从而提高电路板空间利用率并简化生产流程。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：190A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：45nC
总功耗：260W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
SQCB5A182JATME 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流条件下显著减少功率损耗。
2. 快速开关能力，适用于高频应用环境。
3. 高额定电流支持，满足工业及汽车领域的严苛需求。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
5. 具备静电防护功能，增强了器件的抗干扰能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代绿色设计要求。
SQCB5A182JATME 常用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 电动车辆中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载控制。
4. 大功率 DC-DC 转换器模块。
5. 电池管理系统中的保护和切换开关。
6. 高效功率分配系统中的电子保险丝功能。
SQJP506NLC, IRFB4110TRPBF, FDP15N65A
