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SQCB5A182JATME 发布时间 时间:2025/7/3 15:21:26 查看 阅读:8

SQCB5A182JATME 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制程工艺制造。该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和负载开关等应用中。
  其设计优化了低导通电阻与高效率的性能,能够有效降低功率损耗,同时具备快速开关速度和出色的热性能。该型号采用了 TO-263 封装形式,适合表面贴装技术(SMT),从而提高电路板空间利用率并简化生产流程。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:190A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  总功耗:260W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263

特性

SQCB5A182JATME 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下显著减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用环境。
  3. 高额定电流支持,满足工业及汽车领域的严苛需求。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
  5. 具备静电防护功能,增强了器件的抗干扰能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代绿色设计要求。

应用

SQCB5A182JATME 常用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 电动车辆中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载控制。
  4. 大功率 DC-DC 转换器模块。
  5. 电池管理系统中的保护和切换开关。
  6. 高效功率分配系统中的电子保险丝功能。

替代型号

SQJP506NLC, IRFB4110TRPBF, FDP15N65A

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SQCB5A182JATME参数

  • 产品培训模块Component Solutions for Smart Meter Applications
  • 标准包装2,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列SQ
  • 电容1800pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±5%
  • 温度系数A
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳1111(2828 公制)
  • 尺寸/尺寸0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.102"(2.59mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-