时间：2025/4/7 9:46:01
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SQCB2M331JAJME 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能的开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为 SuperSOT-23 封装，能够有效节省电路板空间。
型号：SQCB2M331JAJME
品牌：Vishay
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：2.5mΩ
Id（持续漏极电流）：4.6A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.2V~2.4V
Qg（栅极电荷）：7nC
fT（特征频率）：190MHz
封装：SuperSOT-23
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。
2. 高效的开关性能，得益于其较低的栅极电荷和快速的开关时间。
3. 优化的小型化 SuperSOT-23 封装设计，使得该器件非常适合于紧凑型 PCB 布局。
4. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），适应多种环境条件下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，并且无卤素，环保友好。
6. 支持高频开关应用，适用于消费电子和工业领域中的各种高效能转换电路。
1. 开关电源（Switching Power Supplies）
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理与保护系统
4. 电机驱动与控制
5. 热插拔电路和负载开关
6. 工业自动化设备中的高效功率转换模块
7. 消费类电子产品如智能手机和平板电脑中的充电管理单元
SQJE2M33PME, SiA432DJ, BSS138
