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SQ7415AEN-T1_GE3 发布时间 时间:2025/5/15 16:35:34 查看 阅读:9

SQ7415AEN-T1_GE3 是一款基于硅材料的肖特基二极管,主要应用于高频整流和开关电路。该器件具有低正向电压降、快速恢复时间和高浪涌电流能力的特点,适用于汽车电子、电源适配器以及开关电源等场景。其封装形式为 TO-252 (DPAK),适合表面贴装工艺,能够有效节省空间并提升散热性能。
  肖特基二极管以其独特的物理特性,在高频和低功耗应用中表现尤为突出,因此 SQ7415AEN-T1_GE3 广泛用于需要高效能转换和快速响应的电路设计。

参数

最大反向电压:60V
  最大正向电流:5A
  正向电压降(典型值):0.55V
  反向恢复时间:4ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  热阻(结到外壳):40°C/W
  封装类型:TO-252 (DPAK)
  存储温度范围:-65℃ 至 +150℃

特性

SQ7415AEN-T1_GE3 的核心优势在于其出色的高频性能和低功耗特性。具体来说:
  1. 低正向电压降可减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速反向恢复时间使其非常适合高频应用,避免了因延迟引起的能量损失。
  3. 高浪涌电流能力增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
  4. 宽工作结温范围确保其能够在极端环境下稳定运行。
  5. 表面贴装封装简化了生产流程,同时提升了散热性能。
  这些特点使得 SQ7415AEN-T1_GE3 成为许多高性能电源管理应用的理想选择。

应用

该二极管广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的高频整流。
  2. 汽车电子系统的保护电路。
  3. 工业控制设备中的信号处理。
  4. 通信设备中的电源模块。
  5. 笔记本电脑及平板设备的充电器设计。
  SQ7415AEN-T1_GE3 的高性能指标和可靠性使其成为工程师设计高效、紧凑型电源解决方案时的重要选择。

替代型号

SQ7415AEP-T1_GE3
  SMB5060BT3G
  RB5060T

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SQ7415AEN-T1_GE3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)65 毫欧 @ 5.7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)38 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1385 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)53W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? 1212-8
  • 封装/外壳PowerPAK? 1212-8