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SQ4946AEY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/7 11:39:09 查看 阅读:27

SQ4946AEY-T1-GE3 是一款高性能的工业级功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率并降低热损耗。
  其封装形式为 TO-220,具备良好的散热性能,适合在高功率密度环境中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:46A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  工作 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

核心优势在于其超低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中表现出色,同时减少了因电阻导致的功率损失。
  此外,该器件的栅极电荷较低,有助于提升开关速度并降低开关损耗,从而优化整体效率。
  它的高耐压能力(60V)确保了在复杂电路中的稳定运行,而宽广的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃)则使其适用于各种极端环境条件下的工业与汽车场景。
  该芯片还具有优异的热性能,通过 TO-220 封装设计有效提升了散热效果,进一步增强了长期可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)设计,用于提高效率并支持高负载需求。
  2. 电动车辆(EV/HEV)中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  4. 高性能 DC-DC 转换器,特别适用于需要高电流输出的应用。
  5. 大功率 LED 照明驱动电路。

替代型号

SQ4946AEY-T1-G, IRFZ44N, FDP5500

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SQ4946AEY-T1-GE3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 封装Reel
  • 零件号别名SQ4946AEY-GE3