时间：2025/6/5 23:42:48
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SQ28072ART是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，从而提高了系统效率并降低了功耗。
该MOSFET属于N沟道增强型，能够承受较高的漏源电压，并且具备优异的热性能，适合高功率密度的设计需求。
类型：N沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：55nC
开关时间：ton=15ns, toff=10ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
SQ28072ART具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)仅为3.5mΩ），可有效降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，特别适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力（最大45A连续漏极电流），确保在高负载情况下稳定运行。
4. 强大的热性能设计，支持更高的功率密度和更紧凑的电路布局。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应各种恶劣的工作条件。
6. 具备优良的抗雪崩能力和ESD保护功能，提高系统的可靠性和安全性。
SQ28072ART广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
6. 其他需要高效功率开关的应用场景。
SQ28072ARL, IRF3710, FDP5500
