时间：2025/8/2 6:51:24
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SQ2325ES-T1-GE3是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的TrenchFET技术，提供低导通电阻和高性能，适用于便携式电子设备、电池供电系统和DC-DC转换器等场合。其封装形式为SOT-23，是一种小型化的表面贴装封装，适合高密度PCB布局。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-2.6A
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值）
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
SQ2325ES-T1-GE3具有优异的电气性能和可靠性，其核心特性包括低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。该MOSFET采用TrenchFET技术，使得在低电压应用中能够实现高效的能量转换。
由于其P沟道结构，该器件在关闭状态下的漏极到源极电压承受能力强，适用于电池供电设备中的电源管理电路。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V至12V的驱动电压，适合多种控制电路的设计。
该器件的封装采用SOT-23形式，尺寸小巧，便于在空间受限的应用中使用。同时，该封装具备良好的散热性能，能够在较高负载下保持稳定运行。
SQ2325ES-T1-GE3还具有较强的抗静电能力，符合RoHS标准，并且在生产过程中采用无卤素材料，符合环保要求。
SQ2325ES-T1-GE3广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。它也可用于电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关和电压调节电路等场景。在工业控制系统和汽车电子中，该MOSFET可用于低电压功率开关应用，提供高效、稳定的电流控制。
Si2302DS-T1-GE3, AO3401A, FDN340P, FDS6680, BSS84
