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SQ2319ES-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/26 12:18:50 查看 阅读:25

SQ2319ES-T1-GE3是一款高性能的肖特基二极管,适用于高频开关电路和电源管理应用。该二极管采用TO-252封装形式,具有低正向压降、快速恢复时间和高可靠性等特性。其设计特别适合在高效能、低功耗的电子设备中使用,例如开关电源适配器、DC-DC转换器以及便携式电子设备中的整流电路。
  肖特基二极管因其独特的物理结构,在正向导通时表现出较低的电压降,能够有效减少功率损耗,从而提高系统的整体效率。

参数

最大反向电压:30V
  最大正向电流:1.5A
  典型正向电压降:0.45V
  最大反向漏电流:10uA(在25℃条件下)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

SQ2319ES-T1-GE3采用了先进的制造工艺,确保了器件的稳定性和一致性。其主要特性包括:
  1. 低正向压降,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速恢复时间,非常适合高频开关应用。
  3. 高浪涌电流能力,增强了器件在瞬态条件下的耐受性。
  4. 良好的热性能,能够在高温环境下可靠工作。
  5. 小型化的TO-252封装,节省PCB空间并简化设计布局。

应用

这款肖特基二极管广泛应用于多种领域,具体包括:
  1. 开关电源和AC-DC适配器中的整流电路。
  2. DC-DC转换器中的续流二极管。
  3. 便携式电子设备如手机、平板电脑等的电池充电管理。
  4. 汽车电子系统中的保护电路。
  5. 工业控制设备中的高频信号处理。
  SQ2319ES-T1-GE3凭借其优异的性能和稳定性,成为许多现代电子设备的理想选择。

替代型号

SQ2319ET1G, SQ2319ES-T1

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SQ2319ES-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型*
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)