时间：2025/6/29 1:12:45
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SPVN210106是一款高性能、高精度的N沟道增强型MOSFET，主要应用于开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和优秀的开关性能，能够在高频条件下保持高效工作。
其封装形式为SOT-23，适合在空间有限的设计中使用，同时具备良好的散热性能。SPVN210106能够承受较高的漏源电压，并且具有快速的开关速度，非常适合对效率和响应时间要求较高的应用。
漏源电压(Vds)：60V
连续漏电流(Id)：1.5A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
栅极电荷(Qg)：4nC
输入电容(Ciss)：27pF
总功耗(Ptot)：495mW
工作温度范围(Top)：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计，有助于降低功率损耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频工作条件，减少开关损耗。
3. 小型化的SOT-23封装，节省PCB布局空间。
4. 高漏源电压耐受能力，确保在各种复杂电路环境下稳定运行。
5. 支持宽广的工作温度范围，适应多种恶劣环境下的应用需求。
6. 内置ESD保护机制，增强了器件的可靠性和抗干扰能力。
1. 开关电源(SMPS)中的开关管应用。
2. DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。
3. 负载开关及过流保护电路。
4. 电机驱动及控制电路中的功率开关。
5. 消费类电子设备中的电源管理模块。
6. 工业自动化控制领域中的信号切换与功率调节。
7. 电池管理系统(BMS)中的关键开关组件。
AO3401A, FDN340P, SI2301DS
