类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：130A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤6.5mΩ（Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-227（三端子）

SPT9713BIP的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得该MOSFET在高电流工作状态下具有更低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。该器件的高耐压能力（100V）使其适用于多种中高功率DC-DC转换器和电源管理系统。
　　此外，SPT9713BIP采用了TO-227封装形式，这种封装具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。其三端子结构有助于减少引脚电感，从而提高高频开关时的稳定性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至20V），可以与多种类型的驱动IC兼容，适用于多种控制方案。此外，SPT9713BIP具备较强的抗雪崩能力，能够在过压或瞬态条件下提供一定的保护作用。
　　在热管理方面，SPT9713BIP具有较高的热稳定性，能够在高温环境下保持良好的工作性能。其最大连续漏极电流可达130A，在合适的散热条件下可维持稳定的运行状态。

SPT9713BIP广泛应用于各种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件也常用于大功率LED驱动电路和电动汽车相关应用中的电能转换系统。
　　在通信设备中，SPT9713BIP可用于电源模块的主开关元件，以提高能效并减少发热。同时，它也适用于逆变器设计，如太阳能逆变器和电动车电机控制器等需要高可靠性和高效率的系统。由于其封装形式适合PCB安装，因此也广泛用于各种嵌入式系统的电源管理部分。

SiHF130N10D-GE3, IRF130N7S-1PBF, FDP130N10A, STP120N10F7AG