SPPH2 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件专为高效率、高频率的电源转换应用而设计,适用于多种电子设备中的功率开关任务。SPPH2 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (ID):100A
最大漏源电压 (VDS):30V
最大栅源电压 (VGS):±20V
导通电阻 (RDS(on)):典型值 4.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263(D2Pak)
功耗 (PD):200W
SPPH2 的主要特性包括其卓越的导通性能和开关性能,这使其非常适合用于高频 DC-DC 转换器和同步整流器等应用。该器件的低导通电阻有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,SPPH2 具有较高的雪崩能量承受能力和出色的热稳定性,使其能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。
SPPH2 的 TO-263 封装不仅提供了良好的散热性能,还便于在 PCB 上安装和焊接。这种封装形式广泛应用于工业电源、汽车电子以及消费类电子产品中。
该 MOSFET 还具备快速的开关速度,有助于减小外部驱动电路的设计复杂度,并降低电磁干扰(EMI)。SPPH2 在栅极驱动电压较低的情况下仍能保持良好的性能表现,因此也适用于需要节能设计的应用场景。
SPPH2 广泛应用于各种电力电子系统中,包括但不限于:
- 高频 DC-DC 转换器,例如用于服务器电源或通信设备中的 VRM(电压调节模块);
- 同步整流器,在 AC-DC 电源适配器和电池充电器中实现高效率的能量转换;
- 电机控制和驱动电路,如电动工具和电动汽车中的功率管理系统;
- 负载开关和电源管理模块,特别是在对效率要求较高的便携式设备中;
- 工业自动化设备和 UPS(不间断电源)系统中的功率开关元件。
IRF1405, STD100N3LLF, FDP100N30L