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SPP80P06P 发布时间 时间:2025/6/10 16:47:24 查看 阅读:10

SPP80P06P是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用TO-252(DPAK)封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频应用中提供高效的性能表现。
  这款MOSFET的最大耐压为60V,能够承载高达80A的瞬态电流,适用于需要高效功率传输和低损耗的电路设计。其出色的热性能和电气特性使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:30A
  最大脉冲漏极电流:80A
  栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):9mΩ
  总功耗:14W
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

SPP80P06P的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(9mΩ),在高电流应用中能够显著降低传导损耗。
  2. 较高的开关速度,适合高频开关电源和逆变器等应用。
  3. 具备良好的雪崩能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 小型化的DPAK封装提高了PCB布局的灵活性,并改善了散热性能。
  5. 工作温度范围宽广,适应多种恶劣环境下的使用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

SPP80P06P适用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器及降压/升压转换器的核心功率开关元件。
  3. 各类电机驱动器中的功率级控制。
  4. 负载开关和保护电路中的高性能开关元件。
  5. 汽车电子系统中的电源管理和驱动电路。
  6. 高效功率转换模块中的关键组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP80NF06L
  FDP8880
  AO6604

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SPP80P06P参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流80 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.023 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Tube
  • 下降时间30 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散340 W
  • 上升时间18 ns
  • 工厂包装数量500
  • 典型关闭延迟时间56 ns
  • 零件号别名SPP80P06PXK