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SPP80N03S2L 发布时间 时间:2025/6/4 17:30:20 查看 阅读:5

SPP80N03S2L是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用PDFN33封装形式。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用。其额定电压为30V,最大电流可达80A,广泛用于高效能开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
  由于其出色的电气性能和紧凑的封装设计,SPP80N03S2L成为需要小尺寸、高性能解决方案的理想选择。

参数

类型:N沟道MOSFET
  封装:PDFN33
  额定电压:30V
  额定电流:80A
  导通电阻(Rds(on)):1.7mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:9nC(典型值)
  连续漏极电流:80A(Tc=25℃时)
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

SPP80N03S2L具备非常低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。同时,它拥有快速的开关性能,适合高频开关应用。此外,PDFN33封装提供了卓越的散热性能,有助于提升器件在高温环境下的可靠性。
  该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容,进一步优化了动态性能,并降低了开关损耗。其坚固的设计支持大电流处理能力,能够在各种严苛的应用条件下保持稳定运行。
  总体而言,SPP80N03S2L凭借其高效的能源转换能力和紧凑的外形设计,成为众多现代电子设备中不可或缺的关键元件。

应用

SPP80N03S2L主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 负载开关
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 消费类电子产品中的电源管理模块
  7. 工业自动化设备
  8. 通信电源
  这些应用场景均依赖于SPP80N03S2L提供的低导通电阻和高效率特性,以实现更优的系统性能。

替代型号

SPP80N03LLP, FDP080N03L, IRFZ44N

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