时间：2025/6/20 22:13:49
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SPP6506S26R 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DPAK（TO-252）封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等应用领域。其额定电压为 650V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：6.9A
导通电阻：2.6Ω
栅极电荷：17nC
总电容：1480pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SPP6506S26R 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：其 650V 的额定电压使其适用于高电压环境。
2. 低导通电阻：2.6Ω 的导通电阻有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关性能：较低的栅极电荷（17nC）使器件能够在高频条件下运行。
4. 热稳定性：采用 DPAK 封装，有助于散热并提升可靠性。
5. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +150℃，适应多种工作环境。
SPP6506S26R 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池保护电路
5. 负载开关
6. 工业自动化设备
7. 汽车电子系统中的高压开关应用
STP65NE26T4, IRF650N
