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SPP47N10L 发布时间 时间:2025/6/21 21:19:38 查看 阅读:4

SPP47N10L是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用N沟道增强型设计。该器件主要用于开关和功率转换应用,能够承受高电压并提供低导通电阻。其封装形式通常为TO-220或类似的标准功率封装,适合在工业、汽车以及消费电子领域中使用。
  该型号属于超低压降系列,具有优秀的开关特性和较低的功耗,能够在高频工作条件下保持高效性能。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:5mΩ
  栅极电荷:85nC
  总功耗:160W
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

SPP47N10L具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
  3. 快速开关速度,适用于高频应用环境。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  5. 耐热增强型封装,改善了散热性能。
  6. 提供高可靠性的电气隔离,确保系统运行稳定。
  7. 具备出色的抗电磁干扰能力,适用于复杂电磁环境中的电路设计。

应用

SPP47N10L广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动和逆变器模块。
  3. 汽车电子系统,如电动车窗控制器、座椅调节器等。
  4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
  6. LED照明驱动电路中的高效功率管理方案。

替代型号

IRFZ44N
  STP47NF06L
  FDP5800

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SPP47N10L参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SIPMOS?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)47A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)26 毫欧 @ 33A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)135 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2500 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)175W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PG-TO220-3-1
  • 封装/外壳TO-220-3