SPP3407S23RG 时间：2025/8/10 19:52:28 阅读：21

SPP3407S23RG 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽工艺技术，具有低导通电阻和高效率的特性。该MOSFET为N沟道结构，适用于高频率开关和高效电源管理应用。SPP3407S23RG采用8引脚DFN封装，具有良好的热管理和空间节省设计，适合用于紧凑型电子设备。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：5.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：2.3W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：8-DFN

特性

SPP3407S23RG功率MOSFET采用了先进的Trench沟槽工艺，使其在低导通电阻和高开关性能方面表现出色。其导通电阻仅为23mΩ，在VGS为10V时能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达5.6A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。其20V的栅源电压允许灵活的驱动条件，并具有良好的抗过压能力。采用8引脚DFN封装，不仅提供了优良的热管理性能，还节省了PCB空间，适用于紧凑型设计。
　　这款MOSFET还具有快速开关速度，适用于高频操作，从而减少开关损耗并提高整体能效。其热阻较低，可有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。同时，SPP3407S23RG的可靠性和耐用性经过严格测试，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

SPP3407S23RG广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配系统以及电机控制电路。此外，它也适用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理模块。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、LED照明控制和电动助力转向系统等应用。由于其高效率和紧凑封装，SPP3407S23RG也适合用于便携式设备和嵌入式系统的电源开关控制。