时间：2025/5/24 20:38:23
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SPP20N60S5是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高电压和中等电流的应用场景，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率转换电路中。它采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压以及优秀的开关特性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻：1.7Ω（典型值）
栅极电荷：35nC（典型值）
输入电容：1380pF（典型值）
总功耗：200W
工作结温范围：-55℃至+150℃
SPP20N60S5具有以下主要特性：
1. 高击穿电压，能够承受高达600V的漏源电压，适用于高压应用环境。
2. 较低的导通电阻，可以减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，支持高频操作，降低了开关损耗。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计，适合现代绿色电子产品需求。
6. 封装形式紧凑，有助于节省PCB空间。
SPP20N60S5可应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 各种工业自动化和家电中的功率控制模块。
6. 不间断电源（UPS）系统。
SPP25N60S5
IRFP460
FDP18N60
