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SPP100N03S2L-03 发布时间 时间:2025/5/24 14:07:44 查看 阅读:14

SPP100N03S2L-03 是一款基于 MOSFET 技术的功率半导体器件,具体为 N 沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该型号主要适用于低电压、大电流的应用场景,例如开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等。其设计特点在于优化了导通方面表现出色。
  该产品属于 SPP 系列,采用贴片封装技术,具备高可靠性、低损耗以及优异的热稳定性。通过先进的制造工艺,确保了其在高频工作条件下的稳定性和耐用性。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:100A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:58nC
  输入电容:4270pF
  总功耗:250W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SPP100N03S2L-03 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 100A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷和优化的开关特性。
  4. 强大的热管理能力,能够在高温环境下长时间运行。
  5. 紧凑型封装设计,便于 PCB 布局和安装。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合多种工业应用。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
  3. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)及逆变器模块。
  4. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换器。
  5. 其他需要高性能功率开关的应用场景,如不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等。

替代型号

SPP120N03S2L-03, IRF3205, FDP150N10A

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SPP100N03S2L-03参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OptiMOS?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)220 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8180 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PG-TO220-3-1
  • 封装/外壳TO-220-3