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SPP07N60C3 发布时间 时间:2025/5/22 12:35:04 查看 阅读:16

SPP07N60C3 是一款 N 沁道体功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-252 封装形式。该器件具有高击穿电压和低导通电阻的特点,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。
  其主要特点在于能够在高频条件下保持高效的性能表现,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:7A
  栅源电压:±20V
  导通电阻:4.8Ω
  功耗:1.9W
  结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SPP07N60C3 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压达到 600V,适用于高压环境下的多种应用场景。
  2. 低导通电阻,典型值为 4.8Ω,在大电流应用中能有效降低功耗并提高效率。
  3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提升整体系统性能。
  4. 极佳的热稳定性,确保在高温环境下依然能够可靠工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 小型化封装(TO-252),节省 PCB 空间,便于布局设计。

应用

SPP07N60C3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 逆变器
  4. 电机驱动电路
  5. PFC(功率因数校正)电路
  6. 各类工业控制设备中的功率转换模块
  7. LED 驱动电路
  由于其出色的性能和可靠性,SPP07N60C3 成为许多需要高效功率管理解决方案的理想选择。

替代型号

STP07N60C3
  FQP07N60C3
  IRFZ44N

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SPP07N60C3参数

  • 数据列表SPP/SPI/SPA07N60C3
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 4.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 350µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds790pF @ 25V
  • 功率 - 最大83W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000013525SP000681030SPP07N60C3INSPP07N60C3XSPP07N60C3XKSPP07N60C3XKSA1SPP07N60C3XTINSPP07N60C3XTIN-ND