SPP07N60C3 是一款 N 沁道体功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-252 封装形式。该器件具有高击穿电压和低导通电阻的特点,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。
其主要特点在于能够在高频条件下保持高效的性能表现,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:7A
栅源电压:±20V
导通电阻:4.8Ω
功耗:1.9W
结温范围:-55℃ 至 +150℃
SPP07N60C3 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,最大漏源电压达到 600V,适用于高压环境下的多种应用场景。
2. 低导通电阻,典型值为 4.8Ω,在大电流应用中能有效降低功耗并提高效率。
3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提升整体系统性能。
4. 极佳的热稳定性,确保在高温环境下依然能够可靠工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 小型化封装(TO-252),节省 PCB 空间,便于布局设计。
SPP07N60C3 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动电路
5. PFC(功率因数校正)电路
6. 各类工业控制设备中的功率转换模块
7. LED 驱动电路
由于其出色的性能和可靠性,SPP07N60C3 成为许多需要高效功率管理解决方案的理想选择。
STP07N60C3
FQP07N60C3
IRFZ44N