SPP04N60C2 时间：2025/5/8 8:31:29 阅读：5

SPP04N60C2 是一款高压功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高电压和中低电流的应用场景，具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热性能。其额定漏源电压为 600V，连续漏极电流为 4A，封装形式通常为 TO-220。
　　SPP04N60C2 采用先进的制造工艺，在高频开关电源、电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器等领域表现出优异的性能。

参数

漏源电压：600V
　　连续漏极电流：4A
　　导通电阻：1.8Ω（典型值）
　　栅极电荷：37nC（最大值）
　　输入电容：950pF（典型值）
　　总功耗：105W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

SPP04N60C2 具有以下主要特性：
　　1. 高电压能力，适合高达 600V 的应用环境。
　　2. 低导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高效率。
　　3. 快速开关特性，适合高频应用场合。
　　4. 优化的栅极电荷设计，减少驱动损耗。
　　5. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的可靠性。
　　6. 紧凑的 TO-220 封装，便于散热和安装。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备要求。

应用

SPP04N60C2 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
　　2. DC-DC 转换器，如降压或升压电路。
　　3. 电机驱动和控制，例如家用电器中的小型电机。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
　　5. 电池充电器和保护电路。
　　6. 各种工业自动化设备中的功率管理部分。
　　7. LED 驱动器和照明控制系统。