SPN8882T252RG 时间：2025/6/13 12:49:31 阅读：7

SPN8882T252RG是一款高性能的功率MOSFET芯片，基于先进的半导体制造工艺设计。该器件属于N沟道增强型MOSFET，主要应用于高效率、高频开关电源、电机驱动器和负载切换等场景。它具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关特性和出色的热性能，非常适合在紧凑型设计中实现高效能表现。
　　这款芯片的工作电压范围较宽，能够适应各种复杂的电路环境，并且具备良好的电气保护特性以确保稳定运行。

参数

型号：SPN8882T252RG
　　类型：N-Channel MOSFET
　　漏源极击穿电压(Vdss)：80V
　　连续漏极电流(Id)：130A
　　导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：60nC
　　输入电容(Ciss)：4500pF
　　最大工作结温(Tj)：175°C
　　封装形式：TO-247

特性

SPN8882T252RG拥有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频应用场合。
　　3. 高耐压能力，能够承受高达80V的漏源极电压，增强了器件的可靠性。
　　4. 大电流处理能力，峰值电流可达130A，适用于大功率负载。
　　5. 优秀的热性能，可减少散热设计复杂度。
　　6. 紧凑型封装设计，便于PCB布局和安装。
　　7. 宽泛的工作温度范围，支持高温环境下的持续运行。

应用

SPN8882T252RG广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）及DC-DC转换器。
　　2. 电机驱动控制，例如工业自动化设备中的伺服电机驱动。
　　3. 汽车电子系统，包括电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）等。
　　4. 负载切换和保护电路，如服务器、通信设备中的电源管理。
　　5. 可再生能源系统，例如太阳能逆变器和风力发电机控制器。
　　6. 各类需要高效功率转换的消费电子产品。