时间：2025/5/15 14:28:43
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SPHE8202R-D-HL111 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。它适用于多种电源管理和电机驱动场景。
型号：SPHE8202R-D-HL111
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围(Top)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
SPHE8202R-D-HL111 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少传导损耗；具备出色的开关性能，支持高频操作；内置静电保护功能，提高了器件的可靠性；热阻较低，有利于散热管理；提供稳健的短路耐受能力以确保在异常条件下的稳定性。
此外，该芯片还采用了优化的封装设计，便于安装与散热。其电气性能优越，特别适合需要高效能和高可靠性的应用环境。
SPHE8202R-D-HL111 广泛应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及负载切换电路等场合。在这些应用中，它可以实现高效的功率转换和精确的电流控制，从而满足现代电子设备对能源效率和稳定性的要求。
SPHE8201R-D-HL111, IRF840, STP120NF06L
