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SPH4018H1R0MT 发布时间 时间:2025/6/5 23:23:41 查看 阅读:5

SPH4018H1R0MT是一种高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,适合于对功率损耗要求严格的场景。此外,SPH4018H1R0MT具有出色的热性能和可靠性,能够承受较高的电流负载并保持稳定运行。

参数

型号:SPH4018H1R0MT
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):30V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):1.0mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):96nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

SPH4018H1R0MT具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效降低功率损耗。
  2. 高额定电流能力,使其能够在大功率应用中表现出色。
  3. 快速的开关速度有助于减少开关损耗,提高整体效率。
  4. 良好的热性能,能够长时间在高温环境下稳定工作。
  5. 强大的抗浪涌能力和鲁棒性,适用于苛刻的工作条件。
  6. 小型化封装设计,便于在紧凑空间内进行布局。

应用

SPH4018H1R0MT广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如AC-DC适配器和充电器。
  2. 各类电机驱动电路,包括无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
  3. DC-DC转换器和逆变器。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)和制动系统。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

SPH4018H1R2MT, SPH4018H1R5MT

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