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SPH201610H1R0MT 发布时间 时间:2025/6/5 12:05:06 查看 阅读:6

SPH201610H1R0MT 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高功率射频放大器芯片,专为无线通信应用中的功率放大设计。该器件具有较高的输出功率和增益,并能在较宽的工作频率范围内保持稳定性能。其紧凑的设计和高效能使其非常适合现代无线通信系统中的应用。

参数

型号:SPH201610H1R0MT
  工艺:GaAs HEMT
  工作频率范围:800MHz 至 2.7GHz
  饱和输出功率:34dBm
  增益:10dB
  效率:50%
  电源电压:5V
  静态电流:300mA
  封装形式:QFN

特性

SPH201610H1R0MT 具有以下显著特性:
  1. 高输出功率:在高频段下可提供高达 34dBm 的输出功率。
  2. 稳定性:能够在 800MHz 至 2.7GHz 的宽频率范围内运行,同时保持稳定的增益和线性度。
  3. 高效率:具备 50% 的高效率,有助于降低功耗并减少散热需求。
  4. 小型化:采用 QFN 封装形式,适合空间受限的应用环境。
  5. 易于集成:具有简单的偏置结构,易于与外部电路匹配和集成。

应用

SPH201610H1R0MT 广泛应用于以下领域:
  1. 基站功率放大器:
   - 在移动通信基站中用于提升信号强度。
  2. 微波通信:
   - 适用于点对点微波通信系统的功率放大阶段。
  3. 卫星通信:
   - 可作为卫星地面终端设备中的关键组件。
  4. 军用通信:
   - 在需要高可靠性和高功率输出的军用通信系统中发挥重要作用。
  5. 测试与测量:
   - 用于高性能测试设备中的信号增强。

替代型号

SPH201610H1R1MT, SPH201610H1R2MT

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SPH201610H1R0MT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.28470卷带(TR)
  • 系列SPH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感1 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)1.45 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)1.65A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)114 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级-
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试1 MHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳0806(2016 公制)
  • 供应商器件封装806
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.039"(1.00mm)