时间：2025/6/3 10:42:12
阅读：9
SPD50P03LG是一款高性能的功率MOSFET，采用TO-263（DPAK）封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。它能够承受较高的瞬态电压，同时提供较低的导通损耗，有助于提升整体系统效率。
型号：SPD50P03LG
类型：P沟道MOSFET
VDS（漏源极耐压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：50mΩ
IDS（连续漏极电流）：12A
VGS(th)（栅极阈值电压）：-4V
封装：TO-263 (DPAK)
工作温度范围：-55℃ to 150℃
栅电荷：18nC
SPD50P03LG的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗，提高效率；具备快速开关能力，降低开关损耗；其TO-263封装形式使其易于焊接并提供良好的散热性能；支持较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
此外，该器件还拥有出色的雪崩能量处理能力和抗静电能力（ESD），从而增强了系统的可靠性和稳定性。
SPD50P03LG适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流功能
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关
3. 电机驱动电路中的功率级控制
4. 负载开关及电池保护电路中的开关元件
5. 汽车电子设备中的负载切换和保护
这些应用均得益于其低导通电阻、高效率以及稳定的性能表现。
SPD50N03LGT, IRF7410, FDP5500
