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SPD50P03LG 发布时间 时间:2025/6/3 10:42:12 查看 阅读:9

SPD50P03LG是一款高性能的功率MOSFET,采用TO-263(DPAK)封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。它能够承受较高的瞬态电压,同时提供较低的导通损耗,有助于提升整体系统效率。

参数

型号:SPD50P03LG
  类型:P沟道MOSFET
  VDS(漏源极耐压):30V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):50mΩ
  IDS(连续漏极电流):12A
  VGS(th)(栅极阈值电压):-4V
  封装:TO-263 (DPAK)
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  栅电荷:18nC

特性

SPD50P03LG的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗,提高效率;具备快速开关能力,降低开关损耗;其TO-263封装形式使其易于焊接并提供良好的散热性能;支持较宽的工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行。
  此外,该器件还拥有出色的雪崩能量处理能力和抗静电能力(ESD),从而增强了系统的可靠性和稳定性。

应用

SPD50P03LG适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流功能
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关
  3. 电机驱动电路中的功率级控制
  4. 负载开关及电池保护电路中的开关元件
  5. 汽车电子设备中的负载切换和保护
  这些应用均得益于其低导通电阻、高效率以及稳定的性能表现。

替代型号

SPD50N03LGT, IRF7410, FDP5500

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