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SPD30P06P G 发布时间 时间:2025/6/30 18:27:06 查看 阅读:5

SPD30P06P G 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制程技术,具有低导通电阻、高效率以及出色的热性能,适用于各种需要高效功率管理的场合。
  这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-252(DPAK),其设计能够承受较高的电流负载,并且在高频开关应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:12mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关时间:典型值开启时间为 19ns,关闭时间为 10ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SPD30P06P G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))使其非常适合用于降低功耗的应用场景。
  2. 快速的开关速度有助于减少开关损耗,提升系统效率。
  3. 高雪崩击穿能力确保了在异常条件下仍能保持稳定运行。
  4. 小型封装结合良好的散热性能,便于在紧凑空间内进行布局设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
  这些特点使得 SPD30P06P G 成为众多高效率功率转换电路的理想选择。

应用

SPD30P06P G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC/DC 转换器,用于汽车电子、工业控制及消费类电子产品。
  3. 电机驱动和逆变器电路,提供高效的功率传输。
  4. 电池保护电路,确保电池充放电过程的安全性。
  5. 任何需要大电流、快速开关操作的功率管理模块。
  其卓越的性能和可靠性使它成为许多现代电子设备的核心组件。

替代型号

IRFZ44N, STP30NF06L

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SPD30P06P G参数

  • 数据列表SPD30P06P G
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SIPMOS®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 21.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1.7mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1535pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000441776