时间：2025/6/30 18:27:06
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SPD30P06P G 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制程技术，具有低导通电阻、高效率以及出色的热性能，适用于各种需要高效功率管理的场合。
这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-252（DPAK），其设计能够承受较高的电流负载，并且在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：12mΩ
栅极电荷：48nC
开关时间：典型值开启时间为 19ns，关闭时间为 10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SPD30P06P G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）使其非常适合用于降低功耗的应用场景。
2. 快速的开关速度有助于减少开关损耗，提升系统效率。
3. 高雪崩击穿能力确保了在异常条件下仍能保持稳定运行。
4. 小型封装结合良好的散热性能，便于在紧凑空间内进行布局设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
这些特点使得 SPD30P06P G 成为众多高效率功率转换电路的理想选择。
SPD30P06P G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器，用于汽车电子、工业控制及消费类电子产品。
3. 电机驱动和逆变器电路，提供高效的功率传输。
4. 电池保护电路，确保电池充放电过程的安全性。
5. 任何需要大电流、快速开关操作的功率管理模块。
其卓越的性能和可靠性使它成为许多现代电子设备的核心组件。
IRFZ44N, STP30NF06L
