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SPD30N06S2L-23 发布时间 时间:2025/5/10 14:32:52 查看 阅读:10

SPD30N06S2L-23是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,适用于需要高效能和紧凑设计的应用场合。
  SPD30N06S2L-23属于N沟道增强型MOSFET,其额定电压为60V,适合在中低压电路环境中使用。同时,它具有较低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提升系统效率。

参数

额定电压:60V
  最大漏极电流:30A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  总电容:740pF
  最大功耗:180W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

SPD30N06S2L-23的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下显著降低功率损耗。
  2. 高开关速度,有助于提高系统的工作频率和效率。
  3. 小型封装设计,节省PCB空间,便于实现紧凑型解决方案。
  4. 优异的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子设计中。
  6. 具备较强的抗浪涌能力和ESD保护功能,提高了整体可靠性。

应用

SPD30N06S2L-23广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的同步整流。
  2. 电机驱动和控制电路,用于工业自动化和消费类电子产品。
  3. 负载切换和保护电路,例如电池管理系统(BMS)。
  4. 可再生能源领域的逆变器和功率调节系统。
  5. 汽车电子设备中的电源管理和电机控制。
  6. 各种便携式设备和通信基础设施中的高效功率转换。

替代型号

SPD30N06S2L-22, IRFZ44N, FDP30N06L

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SPD30N06S2L-23参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)23 毫欧 @ 22A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 50μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)42 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1390 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)100W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3-11
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63