SPD25N06S2-40 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 SOT-23 封装。该器件适用于低电压应用中的开关和负载驱动场景,具有较低的导通电阻和快速的开关速度。其最大漏源极电压为 60V,连续漏极电流可达 1.8A(在特定条件下),非常适合消费电子、通信设备和工业控制等领域。
最大漏源极电压:60V
最大栅源极电压:±20V
连续漏极电流:1.8A
导通电阻:330mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗:400mW
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SOT-23
SPD25N06S2-40 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
2. 快速开关能力,支持高频应用。
3. 小巧的 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
4. 高静电放电 (ESD) 耐受能力,提升系统可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品需求。
6. 宽温度范围,适应各种恶劣环境。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池保护电路。
3. 电机驱动和继电器驱动。
4. 消费类电子产品的负载开关。
5. 工业自动化中的信号切换。
6. 各种便携式设备中的功率管理模块。
BSS138
FDD2127
AO3400