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SPD25N06S2-40 发布时间 时间:2025/6/30 13:04:17 查看 阅读:4

SPD25N06S2-40 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 SOT-23 封装。该器件适用于低电压应用中的开关和负载驱动场景,具有较低的导通电阻和快速的开关速度。其最大漏源极电压为 60V,连续漏极电流可达 1.8A(在特定条件下),非常适合消费电子、通信设备和工业控制等领域。

参数

最大漏源极电压:60V
  最大栅源极电压:±20V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻:330mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗:400mW
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:SOT-23

特性

SPD25N06S2-40 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,支持高频应用。
  3. 小巧的 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  4. 高静电放电 (ESD) 耐受能力,提升系统可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品需求。
  6. 宽温度范围,适应各种恶劣环境。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电池保护电路。
  3. 电机驱动和继电器驱动。
  4. 消费类电子产品的负载开关。
  5. 工业自动化中的信号切换。
  6. 各种便携式设备中的功率管理模块。

替代型号

BSS138
  FDD2127
  AO3400

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SPD25N06S2-40参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)29A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 26μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)710 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)68W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3-11
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63