时间：2025/5/29 0:39:59
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SPD15P10PGBTMA1是一种基于IGBT技术的功率半导体器件，专为高电压、大电流应用场景设计。该芯片结合了快速开关特性和低导通损耗的特点，适用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、新能源逆变器等领域。其结构和材料选择使其在高频工作条件下仍能保持较高的效率和稳定性。
额定电压：1200V
额定电流：15A
集电极-发射极饱和电压：≤2.0V
栅极阈值电压：4V~6V
总功耗：100W
工作温度范围：-40℃~150℃
存储温度范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-247
SPD15P10PGBTMA1采用了先进的场截止（Field Stop）技术，有效降低了器件的开关损耗，并提升了整体的工作效率。
其具备较低的开通和关断时间，能够实现高频开关操作而不显著增加热损耗。
同时，该器件内置了反并联二极管，可支持续流功能，简化了电路设计并提高了可靠性。
此外，其优化的热设计确保了即使在高负载条件下也能提供稳定的性能表现。
该型号广泛应用于各种中高功率场景，包括但不限于工业变频器、太阳能逆变器、风力发电系统中的功率转换模块、电动汽车充电站、焊接设备以及家用电器中的高效电机控制单元。
由于其出色的耐用性和散热能力，它还被用于需要长时间连续运行且对可靠性和效率要求较高的场合。
FGH15T120BPD
IRGB40B120KD
C2M0075120D
