SPD08N10 时间：2025/5/28 20:40:14 阅读：6

SPD08N10是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，主要用于功率开关和电源管理领域。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性等特性，适合于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
　　SPD08N10的典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、LED照明电路以及电池保护电路等。其优秀的电气性能使其在消费电子、工业控制及汽车电子等领域中广泛应用。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：8A
　　导通电阻：300mΩ
　　栅极电荷：7nC
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃
　　封装形式：TO-252

特性

SPD08N10具备以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升整体效率。
　　2. 高速开关能力，确保在高频条件下依然保持稳定的性能表现。
　　3. 强大的过流保护功能，能够有效避免因异常电流导致的损坏。
　　4. 宽泛的工作温度范围，适应多种复杂环境下的使用需求。
　　5. 符合RoHS标准，绿色环保无毒害物质。

应用

SPD08N10适用于各种电力电子设备中的关键部位，例如：
　　- DC-DC降压或升压转换器的核心开关元件。
　　- 在负载开关中实现精准控制与快速响应。
　　- 驱动小型直流电机，提供稳定且高效的电源供应。
　　- LED照明系统中的恒流源或调光控制器。
　　- 各类电池组保护模块中的重要组件，防止过充、过放及短路等情况发生。