SPD07N20G 时间：2025/6/17 10:04:18 阅读：4

SPD07N20G是一款高性能的MOSFET功率器件，适用于多种开关和功率转换应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够显著提高系统效率并降低功耗。
　　这款MOSFET属于N沟道增强型器件，其耐压范围高达200V，同时支持大电流操作，非常适合于工业控制、电源管理以及汽车电子等领域。

参数

最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rds(on))：0.19Ω（典型值，Vgs=10V）
　　总功耗(Ptot)：45W
　　结温范围(Tj)：-55℃ to +150℃
　　封装类型：TO-220

特性

SPD07N20G具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力：可承受高达200V的漏源电压，增强了器件在高压环境中的可靠性。
　　2. 低导通电阻：Rds(on)仅为0.19Ω，从而减少了传导损耗，提升了整体效率。
　　3. 快速开关性能：得益于优化的内部结构设计，开关时间短，适合高频应用。
　　4. 优秀的热性能：通过高效的散热设计，保证了长时间稳定运行。
　　5. 静电防护能力：内置ESD保护电路，提高了器件在实际使用中的抗干扰能力。
　　6. 可靠性高：经过严格的测试和验证流程，确保在各种工况下的稳定性。

应用

SPD07N20G广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)：作为主开关管或同步整流器使用，提供高效稳定的功率转换。
　　2. 直流电机驱动：用于控制直流电机的速度和方向，实现精确的运动控制。
　　3. 逆变器和变频器：在能量转换过程中起到关键作用，满足工业自动化需求。
　　4. 汽车电子系统：如车载充电器、LED驱动等场景，适应苛刻的工作环境。
　　5. 电池管理系统(BMS)：用于电池充放电保护和均衡控制，提升电池寿命。