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SPD04P10PL G 发布时间 时间:2025/5/21 19:28:24 查看 阅读:3

SPD04P10PL G 是一款用于瞬态电压抑制(TVS)的二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态过电压事件的影响。该器件采用小尺寸封装,适合在空间受限的应用中使用,同时提供低电容和快速响应时间,以确保信号完整性和系统可靠性。
  SPD04P10PL G 的设计使其能够满足多种国际标准的要求,例如 IEC 61000-4-2(ESD)和 IEC 61000-4-4(EFT),并广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制等领域。

参数

工作电压:±10V
  峰值脉冲电流:±8A
  电容:1.5pF
  响应时间:1ps
  最大工作电压:±12V
  结电容:1.2pF
  封装形式:SOT-363

特性

SPD04P10PL G 提供卓越的 ESD 和 EFT 保护性能,同时保持较低的动态电阻以减少箝位电压。其快速响应时间使得它能够在瞬态事件发生时迅速动作,从而最大限度地减少对敏感电路的损害。
  此外,这款 TVS 二极管阵列具有非常低的电容值,这使得它非常适合高速数据线和射频信号线的保护,不会显著影响信号质量或增加传输延迟。
  它的紧凑型封装也使它成为便携式和小型化设备的理想选择,同时支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和大规模制造。

应用

SPD04P10PL G 广泛应用于需要过电压保护的各种场景,包括但不限于以下领域:
  1. USB 接口保护
  2. HDMI 和 DisplayPort 等高速接口保护
  3. 移动设备中的天线保护
  4. 工业控制系统中的通信总线保护
  5. 消费类音频/视频设备的输入输出端口保护
  6. 网络设备中的以太网端口保护
  7. 传感器信号线保护
  这些应用均依赖于 SPD04P10PL G 的高可靠性以及对瞬态电压的快速抑制能力。

替代型号

SPD04P10UA G, SPD04P10UAE G

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SPD04P10PL G参数

  • 数据列表SPD04P10PL G
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SIPMOS®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 380µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds372pF @ 25V
  • 功率 - 最大38W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000212231