时间：2025/5/30 16:08:06
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SPB80N04S2-H4 是一款高性能的 N 沫场效应晶体管（MOSFET），采用先进的半导体制造工艺。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 SuperSO8，适合表面贴装技术（SMT），能够有效降低寄生电感并提高系统效率。
SPB80N04S2-H4 主要用于需要高效能功率管理的场景，如 DC-DC 转换器、电源适配器、电池管理系统以及各种工业控制设备。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：1450pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SPB80N04S2-H4 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 80A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷和输出电荷设计。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下正常运行。
5. SuperSO8 封装提供优越的散热性能和机械强度。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
SPB80N04S2-H4 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电动车辆及混合动力汽车的电池管理系统。
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
5. 高效 LED 照明驱动器。
6. 各类消费电子产品的充电解决方案。
由于其卓越的性能，这款 MOSFET 特别适合需要高效率、高可靠性的功率管理场合。
SPB80N04L2-H4, IRF840, FDP068N04L
