时间：2025/5/13 17:01:22
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SPB80N03S2L-06 是一款基于功率 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛适用于各种高效能功率转换应用。
其封装形式为 TO-252（DPAK），能够提供出色的散热性能和紧凑的设计解决方案。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：170nC（最大值）
开关频率：高达 1MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
功耗：120W（典型值）
SPB80N03S2L-06 的主要特点是低导通电阻，这使得它在大电流应用中表现出色，同时减少了传导损耗。
此外，快速的开关速度有助于降低开关损耗，并支持高频操作场景。
该器件还具有优异的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。
由于采用了 DPAK 封装，SPB80N03S2L-06 能够实现高效的热量散发，从而延长使用寿命并提升系统的可靠性。
此外，其内置的 ESD 保护功能增强了对静电放电的耐受能力。
这款功率 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器以及电池管理系统等应用场景。
它特别适合需要高效能和低损耗的工业及汽车电子领域，例如电动汽车牵引逆变器、太阳能逆变器和不间断电源系统（UPS）。
此外，SPB80N03S2L-06 还可以应用于负载切换电路和保护电路设计中。
SPB80N03L-08, IRF840, FDP069N03L
