时间：2025/6/10 16:42:28
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SPB47N10L是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型技术。该器件适用于需要高开关速度和低导通电阻的应用场景，广泛用于电源管理、电机驱动和逆变器等应用中。其设计旨在提高能效并降低功耗，同时提供优异的热性能和可靠性。
最大漏源电压：1000V
连续漏极电流：47A
导通电阻：2.2Ω（典型值）
栅极电荷：265nC
开关速度：快速
封装类型：TO-247
SPB47N10L具有高耐压能力，能够在高达1000V的漏源电压下工作，适合高压环境下的应用。其较低的导通电阻有助于减少功率损耗，从而提高整体效率。此外，该器件具备快速开关能力，可以有效减少开关损耗。其栅极电荷较小，能够与各类驱动器兼容，确保稳定的运行表现。
该器件还采用了先进的制造工艺，提高了散热性能，使其在高温环境下也能保持良好的稳定性。此外，SPB47N10L符合RoHS标准，环保且可靠。
SPB47N10L主要应用于高压电源开关、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及焊接设备等领域。其高耐压和低损耗特性使其成为这些领域中的理想选择。
STG47N10W
IRFP4710
FDP47N10
