SPB47N10L是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用N沟道增强型技术。该器件适用于需要高开关速度和低导通电阻的应用场景,广泛用于电源管理、电机驱动和逆变器等应用中。其设计旨在提高能效并降低功耗,同时提供优异的热性能和可靠性。
最大漏源电压:1000V
连续漏极电流:47A
导通电阻:2.2Ω(典型值)
栅极电荷:265nC
开关速度:快速
封装类型:TO-247
SPB47N10L具有高耐压能力,能够在高达1000V的漏源电压下工作,适合高压环境下的应用。其较低的导通电阻有助于减少功率损耗,从而提高整体效率。此外,该器件具备快速开关能力,可以有效减少开关损耗。其栅极电荷较小,能够与各类驱动器兼容,确保稳定的运行表现。
该器件还采用了先进的制造工艺,提高了散热性能,使其在高温环境下也能保持良好的稳定性。此外,SPB47N10L符合RoHS标准,环保且可靠。
SPB47N10L主要应用于高压电源开关、工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及焊接设备等领域。其高耐压和低损耗特性使其成为这些领域中的理想选择。
STG47N10W
IRFP4710
FDP47N10