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SPB47N10L 发布时间 时间:2025/6/10 16:42:28 查看 阅读:26

SPB47N10L是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用N沟道增强型技术。该器件适用于需要高开关速度和低导通电阻的应用场景,广泛用于电源管理、电机驱动和逆变器等应用中。其设计旨在提高能效并降低功耗,同时提供优异的热性能和可靠性。

参数

最大漏源电压:1000V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:2.2Ω(典型值)
  栅极电荷:265nC
  开关速度:快速
  封装类型:TO-247

特性

SPB47N10L具有高耐压能力,能够在高达1000V的漏源电压下工作,适合高压环境下的应用。其较低的导通电阻有助于减少功率损耗,从而提高整体效率。此外,该器件具备快速开关能力,可以有效减少开关损耗。其栅极电荷较小,能够与各类驱动器兼容,确保稳定的运行表现。
  该器件还采用了先进的制造工艺,提高了散热性能,使其在高温环境下也能保持良好的稳定性。此外,SPB47N10L符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

SPB47N10L主要应用于高压电源开关、工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及焊接设备等领域。其高耐压和低损耗特性使其成为这些领域中的理想选择。

替代型号

STG47N10W
  IRFP4710
  FDP47N10

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SPB47N10L参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SIPMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)47A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)26 毫欧 @ 33A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)135 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2500 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)175W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-3-2
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB