时间：2025/5/15 12:59:43
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SPB17N80C3是英飞凌（Infineon）推出的高压功率MOSFET，采用N沟道增强型设计，属于CoolMOS系列。该器件适用于高频开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及工业应用等领域。它采用了先进的超结技术，在保持低导通电阻的同时显著降低了开关损耗。
SPB17N80C3的工作电压高达800V，具有极佳的雪崩能力和可靠性，能够适应恶劣的工作环境，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，从而提升了整体效率和系统性能。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：17A
导通电阻（典型值）：240mΩ
栅极电荷（Qg）：55nC
输入电容（Ciss）：2140pF
输出电容（Coss）：97pF
总电荷（Qgd）：16nC
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
SPB17N80C3具备以下特点：
1. 超高耐压能力（800V），非常适合高压应用场合。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提升系统效率。
3. 出色的动态性能，包括低栅极电荷和输出电容，使得开关速度更快，从而降低开关损耗。
4. 具备强大的雪崩能力，增强了器件在过载或短路情况下的保护功能。
5. 高温工作能力，允许其在极端环境下可靠运行。
6. 封装坚固耐用，易于散热管理。
SPB17N80C3广泛应用于多种领域，主要包括：
1. 开关电源（SMPS）设计，如适配器、充电器等。
2. 工业电源模块及DC-DC转换器。
3. 太阳能逆变器中的高频开关电路。
4. 各类电机驱动控制系统。
5. 电磁炉及其他家电产品的功率转换部分。
6. 电动车充电桩和其他高压电力电子设备。
SPB17N80C4, IPP17N08N4L, IPP17N08N4
