SPB11N60C3是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高频率开关应用,具备良好的热稳定性和高击穿电压特性。SPB11N60C3的额定电压为600V,额定电流为11A,适合用于电源转换器、电机驱动器和照明设备等应用领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):11A
导通电阻(Rds(on)):0.55Ω(最大)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
功率耗散(Ptot):80W
SPB11N60C3具有多项显著的性能特性。首先,其高击穿电压(600V)使其适用于高电压环境下的开关操作,能够承受较大的电压应力,提高了系统的可靠性。其次,该MOSFET具备较低的导通电阻(Rds(on)),最大值为0.55Ω,这有助于降低导通损耗,提高能效。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±30V),提供了更大的设计灵活性,并增强了抗干扰能力。
在热管理方面,SPB11N60C3采用高效的散热封装设计,能够在较高环境温度下保持良好的热稳定性,确保长时间工作的可靠性。该器件的封装形式为TO-220,便于安装在散热片上,进一步优化热性能。
SPB11N60C3还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和电机控制电路等。其优异的动态性能可有效降低开关损耗,提高系统效率。
SPB11N60C3广泛应用于多种功率电子设备中,适用于多种高电压和高频率的开关场景。典型应用包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、照明系统(如HID灯和LED驱动器)、工业自动化设备以及家用电器中的电源管理模块。此外,该器件还可用于逆变器和UPS(不间断电源)系统中,作为主开关器件,提供高效的能量转换能力。
在电源适配器中,SPB11N60C3可用于实现高效率的AC-DC转换;在电机控制应用中,它可作为H桥电路中的开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制;在照明系统中,该MOSFET可作为调光电路的关键元件,提供稳定的电流控制。
由于其良好的热稳定性和高耐压能力,SPB11N60C3也常用于环境条件较为恶劣的工业场合,如工厂自动化设备和电力控制系统中。
STB11N60C3, STP11N60C3, FQA11N60C, IRFBC40