您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SPB11N60C3

SPB11N60C3 发布时间 时间:2025/7/15 18:59:07 查看 阅读:13

SPB11N60C3是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高频率开关应用,具备良好的热稳定性和高击穿电压特性。SPB11N60C3的额定电压为600V,额定电流为11A,适合用于电源转换器、电机驱动器和照明设备等应用领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):11A
  导通电阻(Rds(on)):0.55Ω(最大)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散(Ptot):80W

特性

SPB11N60C3具有多项显著的性能特性。首先,其高击穿电压(600V)使其适用于高电压环境下的开关操作,能够承受较大的电压应力,提高了系统的可靠性。其次,该MOSFET具备较低的导通电阻(Rds(on)),最大值为0.55Ω,这有助于降低导通损耗,提高能效。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±30V),提供了更大的设计灵活性,并增强了抗干扰能力。
  在热管理方面,SPB11N60C3采用高效的散热封装设计,能够在较高环境温度下保持良好的热稳定性,确保长时间工作的可靠性。该器件的封装形式为TO-220,便于安装在散热片上,进一步优化热性能。
  SPB11N60C3还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和电机控制电路等。其优异的动态性能可有效降低开关损耗,提高系统效率。

应用

SPB11N60C3广泛应用于多种功率电子设备中,适用于多种高电压和高频率的开关场景。典型应用包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、照明系统(如HID灯和LED驱动器)、工业自动化设备以及家用电器中的电源管理模块。此外,该器件还可用于逆变器和UPS(不间断电源)系统中,作为主开关器件,提供高效的能量转换能力。
  在电源适配器中,SPB11N60C3可用于实现高效率的AC-DC转换;在电机控制应用中,它可作为H桥电路中的开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制;在照明系统中,该MOSFET可作为调光电路的关键元件,提供稳定的电流控制。
  由于其良好的热稳定性和高耐压能力,SPB11N60C3也常用于环境条件较为恶劣的工业场合,如工厂自动化设备和电力控制系统中。

替代型号

STB11N60C3, STP11N60C3, FQA11N60C, IRFBC40

SPB11N60C3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SPB11N60C3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SPB11N60C3参数

  • 数据列表SPB11N60C3
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 500µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装PG-TO263-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000013519SPB11N60C3INTRSPB11N60C3XTSPB11N60C3XTINTRSPB11N60C3XTINTR-ND