时间：2025/6/25 16:42:44
阅读：7
SPB10N10是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。这款器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。其低导通电阻和高耐压特性使其成为高效能功率转换电路的理想选择。
SPB10N10的最大漏源电压为100V，能够承受较高的瞬态电压，同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷，这有助于减少开关损耗并提升整体效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.07Ω（典型值）
栅极电荷：35nC（最大值）
总功耗：114W
结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 低导通电阻设计，显著降低传导损耗，从而提高系统效率。
2. 快速开关性能，适用于高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强在异常工作条件下的可靠性。
4. 紧凑的TO-220封装，便于散热管理且易于安装。
5. 支持大电流操作，适合多种功率级需求。
6. 符合RoHS标准，绿色环保材料使用。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率处理单元。
3. 电机驱动电路中的功率控制模块。
4. 各类负载开关应用。
管理系统(BMS)中的功率管理组件。
6. 工业自动化设备中的功率切换元件。
IRFZ44N
STP10NK50Z
FQP18N10
IXTH10N100L
