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SPB08P06PG 发布时间 时间:2025/5/22 12:31:18 查看 阅读:17

SPB08P06PG是一款N沟道功率MOSFET,专为高效率开关应用设计。该器件采用TO-252封装形式,适合于需要低导通电阻和快速开关性能的电路。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。
  SPB08P06PG具有出色的热特性和电气特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:35mΩ(典型值)
  栅极电荷:7nC(典型值)
  总电容:1250pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 超低导通电阻以减少传导损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频操作。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件的鲁棒性。
  4. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
  5. TO-252封装便于安装与散热设计。
  6. 可靠的短路保护功能,提高系统的安全性。

应用

1. 开关电源中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 汽车电子中的负载控制。
  4. 电池保护及充电管理电路。
  5. 工业自动化设备中的电机驱动。
  6. 各类便携式设备的电源管理方案。

替代型号

IRFZ44N, FDP5800, STP80NF06L

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