时间：2025/5/22 12:31:18
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SPB08P06PG是一款N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用TO-252封装形式，适合于需要低导通电阻和快速开关性能的电路。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。
SPB08P06PG具有出色的热特性和电气特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：8A
导通电阻：35mΩ（典型值）
栅极电荷：7nC（典型值）
总电容：1250pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 超低导通电阻以减少传导损耗。
2. 快速开关速度，适合高频操作。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
5. TO-252封装便于安装与散热设计。
6. 可靠的短路保护功能，提高系统的安全性。
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 汽车电子中的负载控制。
4. 电池保护及充电管理电路。
5. 工业自动化设备中的电机驱动。
6. 各类便携式设备的电源管理方案。
IRFZ44N, FDP5800, STP80NF06L
