时间：2025/5/23 3:25:50
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SPA17N80C3XKSA1 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 STMicroelectronics（意法半导体）生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种需要高效功率转换的应用场景。其耐压能力高达 800V，使其非常适合高压环境下的电力电子设备。
该型号中的 'SPA' 表示其属于 ST 的超级结 MOSFET 系列，这类器件在高压应用中表现出优异的效率和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源极电压(Vds)：800V
连续漏极电流(Id)：17A
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：590mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：240W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SPA17N80C3XKSA1 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻设计，能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高击穿电压（800V），适合用于高压电源转换和电机驱动领域。
3. 快速开关特性，支持高频应用，减少开关损耗。
4. 内置反向二极管，简化电路设计并提供额外保护功能。
5. 出色的热稳定性和可靠性，适应恶劣的工作环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路。
2. 工业电机驱动和控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 不间断电源（UPS）和电池充电器。
5. 各种高压 DC/DC 转换器。
6. 电磁阀驱动和工业自动化设备。
STP17NF80Z,
IRFP460,
FDP17N80,
IXFN17N80T,
IPD170N80S4
