SPA1118Z 时间：2025/8/16 9:14:16 阅读：23

SPA1118Z是一款专为射频（RF）和微波应用设计的高性能砷化镓场效应晶体管（GaAs FET）。该器件采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具备优异的高频性能和低噪声特性，适用于无线通信、雷达、测试仪器和其他高频电子系统中的低噪声放大器（LNA）和混频器等应用。

参数

类型：GaAs HEMT FET
　　频率范围：DC至18 GHz
　　噪声系数：0.5 dB（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　输出功率：24 dBm（典型值）
　　漏极电流：70 mA（典型值）
　　工作电压：10 V
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　输入和输出阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

SPA1118Z具有低噪声系数和高线性度，使其成为低噪声放大器（LNA）应用的理想选择。其高增益特性可在不引入显著噪声的情况下提升信号强度，适用于高灵敏度接收系统。
　　此外，该器件在18 GHz的高频范围内表现出色，适用于微波通信和测试设备。其高稳定性设计确保在各种工作条件下都能保持一致的性能表现。
　　SPA1118Z采用紧凑的表面贴装封装，有助于简化高频电路设计并减少电路板空间占用。该封装还提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在严苛环境下的可靠运行。
　　器件的50 Ω输入和输出阻抗匹配使其能够轻松集成到标准RF系统中，减少了外部匹配网络的需求，提高了设计效率。

应用

SPA1118Z广泛应用于无线通信系统、卫星通信、雷达设备、频谱分析仪、信号发生器等高频电子设备中。其优异的低噪声和高增益特性使其特别适用于需要高灵敏度和稳定性的接收前端电路，例如在5G通信、微波链路和军事通信系统中。
　　此外，该器件也可用于测试和测量仪器中的低噪声放大器和混频器模块，以提高测量精度和信号完整性。在航空航天和国防领域，SPA1118Z被用于高性能雷达和电子战系统中的关键信号处理环节。