您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SPA02N80C3

SPA02N80C3 发布时间 时间:2025/6/26 12:25:10 查看 阅读:21

SPA02N80C3是来自Semikron的一款IGBT模块,属于SKiiP系列。该模块采用了先进的绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术,具有低导通损耗和开关损耗的特性,适用于工业驱动、不间断电源(UPS)、焊接设备以及可再生能源系统等领域。
  其设计注重高可靠性与高效能表现,能够承受较高的工作电压和电流,同时提供快速的开关速度以优化性能表现。

参数

集电极-发射极击穿电压:1200V
  连续集电极电流:600A
  开关频率范围:1kHz-15kHz
  功耗:典型值为25W
  结温范围:-40℃至150℃
  封装形式:SKiiP 3代模块
  热阻:0.05 K/W

特性

SPA02N80C3具备出色的电气性能,包括较低的Vce(sat)(饱和电压),这有助于减少导通状态下的能量损失。此外,它还具有良好的短路耐受能力,在发生故障时可以保护电路。
  该产品内置温度传感器,便于实时监控运行状况,并且通过优化的布局设计降低了寄生电感,从而提高了整体系统的稳定性。
  为了简化安装过程,模块使用了压接式连接方式,避免了传统焊接可能带来的问题。同时,其紧凑型设计节省了空间,适合于对体积有严格要求的应用场景。

应用

主要应用于工业自动化领域中的变频器驱动系统;作为核心功率器件支持风力发电机组的逆变部分;在电动汽车充电站中用作直流变换器的关键组件;此外还可以用于各种类型的UPS设备,确保电力供应的连续性和质量。
  由于其卓越的效率及耐用性,也常被选用在需要长时间稳定工作的环境中,例如电梯控制系统或者工厂生产线上的电机调速装置等地方。

替代型号

SPA04N80C3, SKM500GB123D

SPA02N80C3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SPA02N80C3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SPA02N80C3参数

  • 数据列表SPA02N80C3
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.7 欧姆 @ 1.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 120µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds290pF @ 100V
  • 功率 - 最大42W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装PG-TO220-FP
  • 包装管件
  • 其它名称SP000216295SPA02N80C3INSPA02N80C3XK